NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 69.1 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTMTSC1D5N08MC

制造商编号：

NTMTSC1D5N08MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88

数据表:

NTMTSC1D5N08MC 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	287 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	101 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	31 ns
正向跨导 - 最小值:	219 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	NTMTSC1D5N08MC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	69 ns
典型接通延迟时间:	30 ns

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数据表

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PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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