NTH4L碳化硅(SiC)MOSFET

onsemi NTH4L碳化硅(SiC)MOSFET是1200V M3S平面SiC MOSFET系列。这些MOSFET具有超低栅极电荷和低开关损耗的特点。某些MOSFET型号可提供额定电容较低的高速开关。NTH4L系列经过100%雪崩测试,符合RoHS规范。Onsemi NTH4L SiC MOSFET是各种电源应用的理想选择,包括太阳能逆变器、电动汽车(ev)充电站、不间断电源(UPS)、储能系统和开关模式电源(SMPS)。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM 246库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L 1,634库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC