LMG1210 200V半桥MOSFET和GaN FET驱动器

Texas Instruments LMG1210 200V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器设计用于高频、高效率应用。该器件是具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及3.4ns高侧/低侧匹配（以优化系统效率）的应用的理想选择。LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器设有内部LDO，可确保5V的栅极驱动电压，且不受电源电压影响。