4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
IXYS MOSFET 4500V 0.9A HV Power MOSFET
数据表
166库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
数据表
296库存量
510预期 2026/6/26
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
数据表
436在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 200 mA 625 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET
数据表
116预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 4.5 kV 3 A 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 4500V 2A HV Power MOSFET
数据表
无库存交货期 57 周
最低： 300
倍数： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement Tube