GS665xx增强模式硅功率晶体管

Infineon Technologies GS665xx增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）具有大电流、高击穿电压和高开关频率等特性。这些功率晶体管采用具有大电流裸片和高良率的Island Technology单元布局，GaNPX® 小型封装可实现低电感和低热阻。这些功率晶体管具有非常低的结-外壳热阻，适用于大功率应用。GS665xx增强模式硅功率晶体管有底部或顶部冷却晶体管可供选择。这些功率晶体管具有超低FOM裸片、反向电流能力和零反向恢复损耗。

结果: 13
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
通道模式
商标名
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
1,206库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 130 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 3.3 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
4,231库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 130 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
1,030库存量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
3,993在途量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 4.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
数据表
2,451预期 2026/2/26
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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3,000在途量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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2,957在途量
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倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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交货期 53 周
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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交货期 53 周
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卷轴: 3,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
数据表
1,891在途量
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.5 A 260 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 1.6 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
数据表
交货期 53 周
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 7.5 A 260 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 1.6 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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交货期 53 周
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 90 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 4.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 LEGACY GAN SYSTEMS
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最低： 1
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卷轴: 250

SMD/SMT GaNpx N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 32 mOhms - 10 V, + 7 V 1.1 V 14.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNPX