GS665xx增强模式硅功率晶体管

Infineon Technologies GS665xx增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）具有大电流、高击穿电压和高开关频率等特性。这些功率晶体管采用具有大电流裸片和高良率的Island Technology单元布局，GaNPX^® 小型封装可实现低电感和低热阻。这些功率晶体管具有非常低的结-外壳热阻，适用于大功率应用。GS665xx增强模式硅功率晶体管有底部或顶部冷却晶体管可供选择。这些功率晶体管具有超低FOM裸片、反向电流能力和零反向恢复损耗。