AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 34.26 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-AFGB30T65RQDN

制造商编号：

AFGB30T65RQDN

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE

寿命周期:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	D2PAK-3
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.58 V
栅极/发射极最大电压:	20 V, 30 V
在25 C的连续集电极电流:	68 A
Pd-功率耗散:	235.48 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	AFGB30T65RQDN
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFGB30T65RQDN IGBT

安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN绝缘栅极双极晶体管（IGBT）可为汽车应用提供最佳性能。该IGBT具有大电流能力、快速开关、高输入阻抗和收紧的参数分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路额定值，同时兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。该IGBT满足AEC-Q101要求，无铅，符合RoHS标准。典型应用包括HEV/EV的电动压缩机和HEV/EV的PTC加热器。