NTMFD5C672NLT1G

onsemi
863-NTMFD5C672NLT1G
NTMFD5C672NLT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 60V LL S08FL DS

数据表:
ECAD模型:
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1,500
预期 2026/10/9
1,500
预期 2026/10/13
生产周期：
43
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥12.3283 ¥12.33
¥7.7405 ¥77.41
¥5.1415 ¥514.15
¥4.0115 ¥2,005.75
¥3.2431 ¥3,243.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥3.2431 ¥4,864.65

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
2 Channel
60 V
49 A
11.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
12.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
组装国: MY
扩散国家: JP
原产国: JP
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 最小值: 27.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: NTMFD5C672NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(on) 、低QG和电容、60V漏极-源极电压、146A脉冲漏极电流以及-55°C至175°C的工作结温范围。NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，且符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和H桥）、同步直流-直流稳压器以及电池管理和保护。

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