NTMFD5C672NLT1G

onsemi
863-NTMFD5C672NLT1G
NTMFD5C672NLT1G

制造商：

说明：
MOSFET T6 60V LL S08FL DS

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,115

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥11.0853 ¥11.09
¥6.9721 ¥69.72
¥4.6104 ¥461.04
¥3.6047 ¥1,802.35
¥3.1075 ¥3,107.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥2.8589 ¥4,288.35

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
2 Channel
60 V
49 A
11.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
12.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 28 ns
正向跨导 - 最小值: 27.5 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: NTMFD5C672NL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET设计用于紧凑型高效设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(on) 、低QG和电容、60V漏极-源极电压、146A脉冲漏极电流以及-55°C至175°C的工作结温范围。NTMFD5C672NL双N沟道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR，且符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和H桥）、同步直流-直流稳压器以及电池管理和保护。

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