R8002KN N通道800V 1.6A功率MOSFET

ROHM Semiconductor R8002KN N沟道800V 1.6A功率MOSFET是低导通电阻可快速开关的器件。R8002KN采用无铅电镀,符合RoHS指令。这些MOSFET可轻松实现并行使用。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch 5,102库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 800V 2A 3rd Gen, Fast Switch 951库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.6 A 4.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube