SISD5300DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISD5300DN-T1-GE3
SISD5300DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 62A

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay / Siliconix SISD5300DN-T1-GE3详情

库存量: 4,383

库存：
4,383 可立即发货
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.2553 ¥21.26
¥13.6504 ¥136.50
¥9.3451 ¥934.51
¥7.458 ¥3,729.00
¥6.8591 ¥6,859.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥6.4636 ¥19,390.80

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-F-8
N-Channel
1 Channel
30 V
198 A
870 uOhms
- 12 V, 16 V
2 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: TW, CN
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 162 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 90 ns
系列: SISD
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerPAK® 1212 MOSFET

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFET非常适用于开关应用，具有约1mΩ的裸片导通电阻，可处理高达85A的电流。Vishay POWERPAK 1212采用了一种封装技术，可降低高性能裸片遭受损害的风险。该封装采用紧凑设计，具有超低热阻，因此非常适用于空间受限的应用。

SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET

Vishay/SiliconSense  SiSD5300DN 30V N沟道MOSFET是一款TrenchFET® 第五代功率MOSFET，采用电源倒装技术，可提高散热性能。SiSD5300DN的工作结温范围为-55°C至+150°C，具有非常低的漏源电阻和栅极电荷品质因数 (FOM)。应用包括直流/直流转换器、同步整流、电池管理、 O型圈和负载开关。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。