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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 7.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

78-SIA436DJ-T1-GE3

制造商编号：

SIA436DJ-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

数据表:

SIA436DJ-T1-GE3 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.2716	¥8.27
	¥5.1528	¥51.53
	¥3.3674	¥336.74
	¥2.599	¥1,299.50
	¥2.3504	¥2,350.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.0679	¥6,203.70
	¥1.9097	¥11,458.20
	¥1.8645	¥16,780.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	8 V
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 5 V, 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	350 mV
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	19 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	70 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	SIA436DJ-GE3
单位重量:	1 g

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已选择的属性: 0

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数据表

SIA436DJ-T1-GE3 数据表

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.