SuperFET™ CE 功率 MOSFET

英飞凌 CoolMOS™ CE 功率 MOSFET 是一个高压功率 MOSFET 技术平台，它根据超级结原理（SJ）进行设计，满足客户要求。CoolMOS™ CE 产品系列包括 500V、600V 和 650V 器件，适用于移动设备和电动工具的低功率充电器、笔记本电脑的适配器、LCD、LED 电视 和 LED 照明。全新系列的 CoolMOS™ 成本经优化可满足消费者的典型要求，不牺牲 CoolMOS™ 的高品质和可靠性，同时价格仍有足够吸引力。
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结果: 109
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
无库存交货期 21 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 500
倍数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 240
倍数： 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube