IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT，具有独立的9A拉、灌电流输出，可实现定制导通和关断定时，同时最大限度地降低开关损耗。内部负电荷稳压器提供用户可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快关断。去饱和检测电路可检测SiC MOSFET过流情况，并启动软关断，防止潜在的破坏性dV/dt事件。IN非反相逻辑输入与TTL和CMOS兼容，内部电平转换器提供必要的偏置，以适应负栅极驱动偏置电压。保护还包括欠压闭锁（UVLO）检测和热关断。开漏故障输出向微控制器发出故障状态信号。XYS IX4352NE模块采用散热增强型16引脚窄体SOIC封装。