STripFET V™功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET V™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。先进的平面技术是高效率的理想选择,可提高品质因数 (FoM)。它们具有汽车和工业开关应用所需的大电流和低RDS(导通) 特性。这些器件采用的先进平面技术非常适合用于高效率、低压系统。
STMicroelectronics STripFET V™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。先进的平面技术是高效率的理想选择,可提高品质因数 (FoM)。它们具有汽车和工业开关应用所需的大电流和低RDS(导通) 特性。这些器件采用的先进平面技术非常适合用于高效率、低压系统。