STripFET V™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET V™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。先进的平面技术是高效率的理想选择,可提高品质因数 (FoM)。它们具有汽车和工业开关应用所需的大电流和低RDS(导通) 特性。这些器件采用的先进平面技术非常适合用于高效率、低压系统。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET Automotive N-channel 30 V, 0.0076 Ohm, 56 A STripFET H5 Power MOSFET in a PowerF 5,036库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 56 A 9 mOhms - 20 V, 22 V 2.5 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFET N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V 12,677库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 196库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V 3,274库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel