NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 29.28 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NCV51561BBDWR2G

制造商编号：

NCV51561BBDWR2G

制造商：

onsemi

说明：

电流隔离式栅极驱动器 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

数据表:

NCV51561BBDWR2G 数据表 (PDF)

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥33.0864	¥33.09
	¥25.0634	¥250.63
	¥22.9955	¥574.89
	¥20.7581	¥2,075.81
	¥19.1083	¥4,777.08
	¥18.8597	¥9,429.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥17.6167	¥17,616.70
	¥17.1195	¥34,239.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	电流隔离式栅极驱动器
RoHS:
系列:	NCV51561
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
传播延迟—最大值:	58 ns
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	2 Output
产品:	MOSFET Gate Drivers
产品类型:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
电源电压-最大:	5 V
电源电压-最小:	3 V
技术:	SiC
类型:	High-Side, Low-Side

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET

电动汽车充电、能量储存、不间断电力系统 (UPS) 和太阳能等能源基础设施应用正在将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些大功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑，逆变器和BLDC的工作循环多达六个开关。根据功率等级和开关速度，系统设计人员需要采用各种开关技术，包括硅、IGBT和SiC，以满足最佳应用要求。