HN1C03FU-A(TE85L,F

Name: Toshiba HN1C03FU-A(TE85L,F
Brand: Toshiba
SKU: 757-HN1C03FU-ATE85LF
Price: 4.32 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

757-HN1C03FU-ATE85LF

制造商编号：

HN1C03FU-A(TE85L,F

制造商：

Toshiba

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz

数据表:

HN1C03FU-A(TE85L,F 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥4.8816	¥4.88
	¥3.0736	¥30.74
	¥1.9662	¥196.62
	¥1.3899	¥694.95
	¥1.2204	¥1,220.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.0509	¥3,152.70
	¥0.9266	¥5,559.60
	¥0.75258	¥6,773.22
	¥0.68704	¥16,488.96

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SMT-6
晶体管极性:	NPN
配置:	Single
最大直流电集电极电流:	300 mA
集电极—发射极最大电压 VCEO:	20 V
集电极—基极电压 VCBO:	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	20 V
集电极—射极饱和电压:	42 mV
Pd-功率耗散:	200 mW
增益带宽产品fT:	30 MHz
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	HN1C03
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
集电极连续电流:	300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:	200
直流电流增益 hFE 最大值:	1200
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

HN1C03FU-A(TE85L,F 数据表 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.