LM2104DR

Texas Instruments
595-LM2104DR
LM2104DR

制造商:

说明:
栅极驱动器 107-V 0.5-A/0.8-A h alf-bridge gate driv

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 1,548

库存:
1,548 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥6.5314 ¥6.53
¥4.6782 ¥46.78
¥4.2149 ¥105.37
¥3.7064 ¥370.64
¥3.4578 ¥864.45
¥3.3222 ¥1,661.10
¥3.1979 ¥3,197.90
¥2.9719 ¥8,915.70
¥2.9041 ¥26,136.90

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
500 mA, 800 mA
9 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
28 ns
18 ns
- 40 C
+ 125 C
LM2104
商标: Texas Instruments
逻辑类型: CMOS, TTL
工作电源电流: 560 uA
输出电压: 250 mV, 800 mV
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM2104半桥栅极驱动器

Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET,具有同步降压或半桥配置。  此栅极驱动器在GVDD上具有8V典型欠压锁定,在BST上具有107V绝对最大电压,在SH上具有 –19.5V最大负瞬态电压处理能力。  LM2104驱动器提供475ns典型固定内部死区时间、115ns典型传播延迟,以及内置交叉传导预防功能。 此紧凑型高压栅极驱动器采用与行业标准引脚分配兼容的8引脚SOIC封装。典型应用包括无刷DC (BLDC) 电机、永磁同步电机 (PMSM)、伺服/步进电机驱动器、无绳吸尘器、电动自行车、电动滑板车和电池测试设备。