NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块

安森美半导体NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块具有三个通道、更高输出功率和易于安装的模块。每个通道包含两个1000 V、100 A IGBT、两个1200 V、30 A SiC二极管和两个1600 V、30 A旁路二极管。Q2BOOST模块具有出色的效率和热损耗,可灵活支持不同制造工艺。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模块 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 72工厂有库存
最低: 36
倍数: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT 模块 PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Tray