BSS84X HZG小信号MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG小信号MOSFET采用无引线超小型封装,具有裸露漏极焊盘,可实现出色的导热性能。BSS84X HZG小信号MOSFET具有-60V漏源电压、 ±230mA连续漏极电流以及1.0W功耗。BSS84X HZG设计用于开关电路、高侧负载开关和继电器驱动器应用。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A 6,303库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
15,941预期 2026/7/2
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 8,000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ 4,195库存量
6,000预期 2026/5/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape