NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。此MOSFET具有低漏极-源极R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低Q_G/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMFS3D6N10MCL MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美 (onsemi) MOSFET采用小型DFN5扁平引线封装，尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括48V系统、开关电源、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥），以及反向电池保护。