高密度SiC功率模块

ROHM Semiconductor研发的高密度碳化硅 (SiC) 功率模块旨在满足汽车和工业应用场景对高效电源转换的需求。提供多个产品系列,包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20及DOT-247等。各产品系列面向不同的功率等级水平与系统要求进行了针对性优化。旗下产品系列通过将SiC MOSFET集成于高度紧凑的模块结构内,实现了更高的功率密度、更可靠的开关性能以及更为高效的散热管理表现。根据不同产品系列,可提供2合1、4合1与6合1等多种配置方案,从而为各类电源转换与电机驱动应用提供了更高的配置灵活性。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 封装
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module 225库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube
ROHM Semiconductor MOSFET模块 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV. 80库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET模块 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module 60库存量
最低: 1
倍数: 1
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk