RGW00TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥68.4102 ¥68.41
¥40.0359 ¥400.36
¥33.7531 ¥3,375.31
¥29.7755 ¥13,398.98

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
45 A
89 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
零件号别名: RGW00TK65D
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

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