QPD1004A GaN输入匹配晶体管

Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管是一款基于碳化硅（SiC）衬底的分立式氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件典型输出功率 (P_3dB)为25W，具备50Ω输入阻抗匹配特性，在50V电源轨供电条件下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益与功率性能；输出端可在板级进行匹配，从而在频带内任意子频带优化输出功率与效率。Qorvo QPD1004A晶体管非常适合用于基站、雷达和通信应用，支持连续波和脉冲两种工作模式。这些设备采用行业标准的6mm x 5mm x 0.85mm表面贴装DFN封装。