NXH008T120M3F2PTHG

onsemi
863-H008T120M3F2PTHG
NXH008T120M3F2PTHG

制造商：

说明：
MOSFET模块 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NXH008T120M3F2PTHG详情

库存量: 28

库存：
28 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥1,409.3134 ¥1,409.31
¥1,310.80 ¥13,108.00
100 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-29
1.2 kV
129 A
8.5 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.8 V
- 40 C
+ 150 C
371 W
NXH008T120M3F2PTHG
Tray
商标: onsemi
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 20.6 ns
工厂包装数量: 20
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
典型关闭延迟时间: 137 ns
典型接通延迟时间: 41.5 ns
Vf - 正向电压: 4.8 V
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。

NXH008T120M3F2PTHG碳化硅 (SIC) 模块

安森美（onsemi）NXH008T120M3F2PTHG碳化硅 (SIC) 模块是基于1200V M3S平面碳化硅MOSFET的T型中性点钳位转换器 (TNPC) 。 NXH008T120M3F2PTHG经过优化，适用于快速开关应用。 平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该模块采用20V栅极驱动时具有最佳性能，但也可搭配18V栅极驱动使用。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。