SI3493DDV-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 10,255

库存：
10,255
可立即发货
在途量:
42,000
预期 2026/2/16
生产周期：
8
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥4.4635 ¥4.46
¥2.6894 ¥26.89
¥1.7063 ¥170.63
¥1.2882 ¥644.10
¥1.1526 ¥1,152.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥1.00909 ¥3,027.27
¥0.89383 ¥5,362.98
¥0.77744 ¥6,996.96
¥0.7119 ¥17,085.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
8 A
20 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
52.2 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 40 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 115 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 20 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TrenchFET第三代P通道功率MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET®第三代P通道功率MOSFET具有低导通电阻和低电压降，可提高效率并延长电池使用时间。这些功率MOSFET有多种封装尺寸可供选择。该款P通道MOSFET具有适用于各种应用的额定导通电阻。应用包括负载开关、适配器开关、电池开关、直流电机和充电器开关。

Si3493DDV 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET

Vishay/Siliconix Si3493DDV 20V P通道TrenchFET®第三代MOSFET具有低导通电阻，在-1.8VGS时的最大值为0.05Ω。Si3493DDV MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。该款功率MOSFET可采用单配置TSOP-6封装尺寸。Si3493DDV MOSFET提供可满足各种应用的额定导通电阻。应用包括移动设备中的负载开关、电池开关以及电池管理。

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