RF7x汽车功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET(包括RF7G、RF7L和RF7P变速)是设计用于要求苛刻的电源应用的高性能碳化硅 (SiC) 设备。这些MOSFET的电压额定值为1200V,因此ROHM RF7x MOSFET非常适合用于汽车逆变器、车载充电器和工业电力系统等高压环境。RF7G系列提供适合通用的均衡特性,而RF7L系列针对低传导损耗进行了优化,提高了电池管理和能量存储器连续运行场景的效率。RF7P系列具有出色的高速切换性能,非常适合需要快速响应的应用,例如电信设备和LED灯。在所有变速中,关键特性包括低导通电阻、快速切换性能、高可靠性和紧凑型封装,这使得汽车和工业部门的电源转换既高效又强大。

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH 2,100库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A 2,093库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A 1,201库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 40V 12A 185库存量
3,000预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 40V 12A
3,000预期 2026/3/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 P-CH 60V 12A
2,900预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
3,000预期 2026/3/23
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN 100V 12A N-CH
3,000预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape