IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R037CSFDXKS
IPW60R037CSFDXKSA1

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies IPW60R037CSFDXKSA1详情

库存量: 187

库存：
187 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥87.1795 ¥87.18
¥51.6184 ¥516.18
¥43.7536 ¥4,375.36
¥43.2564 ¥20,763.07

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
54 A
37 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
136 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 196 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
零件号别名: IPW60R037CSFD SP001927820
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

IPW60R037CSFD CoolMOS™超级结MOSFET

Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™超级结MOSFET优化用于满足非车载电动汽车充电市场的需求。该器件具有低栅极电荷 (Qg) 和优化的开关特性，效率极高。该器件具有集成快速体二极管，可以显著降低反向恢复电荷 (Qrr)，从而在谐振拓扑中提高可靠性。IPW60R037CSFD符合非车载电动汽车充电的效率和可靠性标准，并支持高功率密度解决方案。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。