IPW60R037CSFDXKSA1

Name: Infineon IPW60R037CSFDXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R037CSFDXKS
Price: 82.35 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPW60R037CSFDXKS

制造商编号：

IPW60R037CSFDXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:

IPW60R037CSFDXKSA1 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	54 A
Rds On-漏源导通电阻:	37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	136 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	245 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
工厂包装数量:	240
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	196 ns
典型接通延迟时间:	53 ns
零件号别名:	IPW60R037CSFD SP001927820
单位重量:	6 g

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数据表

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Models

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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