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SQ4946CEY-T1_GE3

Name: Vishay SQ4946CEY-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQ4946CEY-T1_GE3
Price: 11.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SQ4946CEY-T1_GE3

制造商编号：

SQ4946CEY-T1_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

数据表:

SQ4946CEY-T1_GE3 数据表

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.656	¥12.66
	¥7.9891	¥79.89
	¥5.3223	¥532.23
	¥4.181	¥2,090.50
	¥3.8081	¥3,808.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.4126	¥8,531.50
	¥3.1979	¥15,989.50
	¥2.9832	¥74,580.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	7 A
Rds On-漏源导通电阻:	82.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	14.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	4 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	15 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4 ns
系列:	SQ
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	750 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQ汽车级功率MOSFET

Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET符合AEC-Q101标准，采用经过优化的适用于汽车业的特殊工艺设计生产。这些SQ MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET^®技术，具有低热阻。SQ MOSFET有多种封装可供选择，可实现设计灵活性。封装包括TO-252、TO-262、TO-263、PowerPAK® SO-8、PowerPAK 8x8L、PowerPAK SO-8L、D2PAK (TO-263)、DPAK和PowerPAK 1212-8W，以及几种节省空间的小型封装。Vishay/Siliconix SQ汽车级功率MOSFET提供各种极性选项，包括N沟道和P沟道一体封装。

48V直流/直流转换器

Vishay 48V直流/直流转换器用于需要保持12V电池负载而车辆使用48V电池的产品。这些转换器可以将48V-12V降压，因此转换器是未来汽车的重要应用。这些器件采用不同拓扑结构，例如多相耦合和非耦合电感器。Vishay提供各种标准器件的解决方案组合，例如MOSFET、二极管、电阻器、电容器和电感器以及定制磁性解决方案。

SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET

Vishay/Siliconix SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET具有60V_DS漏源电压、±100nA栅极-源极漏额定电流以及865pF最大输入电容。该MOSFET具有TrenchFET®功率，非常适合用于汽车应用。Vishay/Siliconix SQ4946CEY汽车用双N沟道MOSFET符合AEC-Q101标准，100%通过R_g和UIS测试，符合RoHS指令，不含卤素。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.