FDMS86105

Name: onsemi FDMS86105
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86105
Price: 19.4 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

512-FDMS86105

制造商编号：

FDMS86105

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据表:

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库存量: 1,460

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生产周期：: 16

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.922	¥21.92
	¥14.1476	¥141.48
	¥9.4242	¥942.42
	¥7.8309	¥3,915.45
	¥7.3902	¥7,390.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥7.3111	¥21,933.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-56-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	6 A
Rds On-漏源导通电阻:	34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	11 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	48 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
正向跨导 - 最小值:	15 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	FDMS86105
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	68.100 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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