NSVMMUN2231LT1G

onsemi
863-NSVMMUN2231LT1G
NSVMMUN2231LT1G

制造商：

说明：
数字晶体管 SS SOT23 BR XSTR NPN 50V

数据表:
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库存量: 27,582

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥1.7402 ¥1.74
¥1.017 ¥10.17
¥0.62037 ¥62.04
¥0.44635 ¥223.18
¥0.38872 ¥388.72
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥0.339 ¥1,017.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 数字晶体管
RoHS:  
Single
NPN
2.2 kOhms
1
SMD/SMT
SOT-23-3
10 kHz
50 V
100 mA
400 mW
- 55 C
+ 150 C
MMUN2231L
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
通道模式: Depletion
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
产品类型: Digital Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MMUN2231L NPN双极数字晶体管

安森美半导体MMUN2231L NPN双极数字晶体管设计用于替代单个 器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻器 晶体管 (BRT) 由一个带单片偏置 网络的晶体管组成。该BRT由两个电阻器组成，一个串联基极电阻器(2.2 kΩ)和一个基极发射极电阻器(2.2 kΩ)，并将其集成到单个器件中。BRT减少了元件数量和电路板空间，并简化了电路设计。该BRT符合AEC-Q101标准，并具有 PPAP功能。BRT不含铅、卤素/BFR，符合RoHS指令。典型应用包括电池反向保护、 直流-直流转换器输出驱动器和高速开关。

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