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GANSPIN611 GaN高功率密度半桥

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN高功率密度半桥是一款先进的电源系统级封装，将两个增强模GaN晶体管集成在半桥配置中，由最先进的高压、高频栅极驱动器驱动。集成的功率GaN具有138mΩ的RDS_(ON)和650V漏源击穿电压，而高压侧的嵌入式栅极驱动器可由集成式自举二极管轻松供电。

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	马达/运动/点火控制器和驱动器 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver GANSPIN611TR STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 GANSPIN611TR Mouser 零件编号 511-GANSPIN611TR 新产品	STMicroelectronics	马达/运动/点火控制器和驱动器 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver 了解更多关于STMicroelectronics st ganspin611 high power density half bridge 的信息	数据表	更多信息可用		受限供货情况			Half-bridge Driver	Half-bridge with High-voltage Driver	10 A	900 uA	- 40 C	+ 125 C	SMD/SMT	QFN-35	Reel, Cut Tape, MouseReel
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GANSPIN611 GaN高功率密度半桥

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