6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列

英飞凌6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列包括全桥驱动器，设计目的是控制三相系统中的MOSFET或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+650V。  英飞凌6EDL04x065xR和6EDL04N03PR采用SOI技术制造，具有出色的抗瞬变电压能力，并消除了寄生晶闸管结构，确保在所有温度和电压条件下均不会出现寄生闭锁。六个独立驱动器的低侧由CMOS或LSTTL兼容信号控制，支持低至3.3V的逻辑电平。 该设备具有带滞后的欠压检测单元和可调节过流检测功能。可在ITRIP引脚上选择适当的电阻值和阈值电平来设置过流阈值。