结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 封装 / 箱体 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT-MODULE 1库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Modules Single 600 V 1.45 V 300 A 400 nA 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode 13库存量
最低: 1
倍数: 1

Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode 30库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 300A CHOPPER 9库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 480 A 400 nA 1.47 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 300 A chopper IGBT module 1库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.7 kV 1.95 V 300 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A chopper IGBT module 6库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray