STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 14.86 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STO33N60M6

制造商编号：

STO33N60M6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-LL-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	33.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	230 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	7.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	33 ns
系列:	MDmesh M6
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	38.5 ns
典型接通延迟时间:	19.5 ns
单位重量:	76 mg

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Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STO65N60DM6功率MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一款器件，将极低恢复电荷_{_{（Q rr）、恢复时间（t}}rr）和优异的_{R DS（o} n）改进相结合。STO65N60DM6通过额外的驱动源引脚提供出色的开关性能。该性能使得STM STO65N60DM6功率MOSFET非常适合用于要求极为苛刻的高效桥式拓扑和ZVS相移转换器。

STO67N60x MDmesh功率MOSFET

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET是100%经过雪崩测试的N沟道功率MOSFET，适用于开关应用。与上一代产品相比，这些功率MOSFET具有出色的开关性能、低栅极输入电阻以及更低的单位面积R_{DS (on)} 。STO67N60DM6功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，将极低恢复电荷 (Q_rr) 和恢复时间 (t_rr) 与最有效的开关行为相结合。STO67N60M6功率MOSFET非常适合用于LLC转换器和升压PFC转换器。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Q_g) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。