CoolSiC™ 750V G1 MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 750V G1 MOSFET具有卓越的性能、可靠性和稳健性。 英飞凌CoolSiC 750V G1具有灵活的栅极驱动功能,可实现简化、经济高效的系统设计。 这些MOSFET可优化效率和功率密度。

晶体管类型

更改类别视图
结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 245库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 850库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 725库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 230库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 446库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 106库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 240库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 224库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 188库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 210库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel