LFPAK8汽车用功率MOSFET

安森美半导体LFPAK8汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道功率MOSFET,占位面积小 (5mm x 6mm),非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻,可最大限度地降低导通损耗,并具有低栅极电荷和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅,符合RoHS指令,具有较宽的工作温度范围(-55°C至175°)。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel 2,965库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel 40库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 31 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE
3,000预期 2026/6/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms 20 V 2 V 11.4 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape