U-MOSVIII-H低压高效MOSFET

Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET专门设计用于笔记本电脑适配器、游戏机、服务器、台式电脑、平板显示器等的AC-DC电源的二次侧,另外还用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。Toshiba U-MOSVIII-H低压高效MOSFET采用最新的第8代沟槽MOS工艺制造,有助于提高电源效率。其他特性包括低漏极-源极导通电阻、低漏电流和高耐雪崩性。该系列还包括采用小型封装的汽车级MOSFET。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 9,224库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3,725库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG 19,353库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V - 20 V, 20 V 2.3 V 17.3 nC + 150 C 1.51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8,519库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 41,441库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 80V 146A 4,914库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape