NXH600B100H4Q2F2S1G

onsemi
863-600B100H4Q2F2S1G
NXH600B100H4Q2F2S1G

制造商：

说明：
IGBT 模块 FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

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库存量: 36

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总价:
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数量 单价
总价
¥1,789.3098 ¥1,789.31
¥1,570.6096 ¥15,706.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: IGBT 模块
Si/SiC Hybrid Modules
Triple
1 kV
1.88 V
173 A
350 nA
422 W
PIM-56
- 40 C
+ 175 C
Tray
商标: onsemi
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Screw Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: NXH600B100H4Q2F2S1G
工厂包装数量: 36
子类别: IGBTs
技术: SiC, Si
商标名: EliteSiC
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已选择的属性: 0

合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
捷克共和国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC混合模块

安森美（onsemi） NXH600B100H4Q2F2S1G硅/碳化硅混合模块是一款三通道快速电容器升压模块。每个通道均包含两个1000V、200A IGBT和两个1200V、60A碳化硅二极管。该模块还包含一个NTC热敏电阻。应用包括太阳能逆变器和不间断电源系统。

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