NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

制造商：

说明：
MOSFET模块 APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

寿命周期:
Mouser 的新产品
数据表:
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¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥387.5222 ¥387.52
¥311.1794 ¥3,111.79

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
商标: onsemi
配置: Dual Half-Bridge
组装国: CN
扩散国家: KR
原产国: CN
下降时间: 9 ns
高度: 5.8 mm
长度: 44.2 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 60
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: EliteSiC
类型: Half-Bridge
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 29 mm
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVXK2TR80WDT碳化硅 (SiC) 模块

安森美NVXK2TR80WDT碳化硅 (SiC) 模块是一款1200V、80mΩ 和20A双路半桥EliteSiC电源模块，采用APM32双列直插封装 (DIP)。该SiC模块结构紧凑，具有低模块总电阻。NVXK2TR80WDT电源模块是符合AEC-Q101和AQG324标准的汽车级 器件。该电源模块不含铅，符合ROHS指令和UL94V-0标准。NVXK2TR80WDT EliteSiC MOSFET模块非常适合用于xEV应用中的HV直流-直流和车载充电器。

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