ThunderFET 150V至250V MOSFET

Vishay Siliconix ThunderFET® 150V至250V MOSFET是N沟道极性型器件，Vds 电压为150V、200V和250V。 封装类型包括TO-252、PowerPAK SO-8、TO-263和TO-220AB。 SIR692DP 250V器件的品质因数 (FOM) 比前几代MOSFET低42%。  SIR692DP 在各种应用中降低了与功率损耗相关的传导，并提高了功率密度。 PowerPAK SO-8封装通过尽量降低封装电阻和寄生电感，实现了最佳的Rds、Qg和Qoss。 Qoss 通过最大限度减小封装电阻和寄生电感。
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结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
数据表
3,672库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
数据表
6,717库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
数据表
产品评论
1,973库存量
4,000预期 2026/3/9
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
数据表
388库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
数据表
309库存量
15,000预期 2026/3/23
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel