MSCSM120x MOSFET电源模块

Microchip Technology MSCSM 120 x MOSFET电源模块是高效转换器，采用厚铜Si3N4 基板，可提高散热性能。这些模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。MSCSM120x模块的反向工作电压 (VR) 为1.2kV，栅极-源极电压范围 (VGS) 为-10V至25V，功率耗散 (Pd) 为310W/560W，连续漏极电流 (Id) 为 79A/150A。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、高效交流/直流和直流/交流转换器、电机控制以及交流开关等应用。

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
技术
Vf - 正向电压
Vr - 反向电压
Vgs - 栅极-源极电压
安装风格
最小工作温度
最大工作温度
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
数据表
24预期 2026/2/24
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 3
倍数： 3

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C