NDSH20120CDN

onsemi
863-NDSH20120CDN
NDSH20120CDN

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

数据表:
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库存量: 400

库存：
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生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥79.8232 ¥79.82
¥47.7312 ¥477.31
¥46.2396 ¥23,582.20
¥45.4938 ¥46,403.68
2,520 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
24 A
1.2 kV
1.75 V
59 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120CDN
Tube
商标: onsemi
组装国: CN
扩散国家: KR
原产国: CN
Pd-功率耗散: 94 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项，为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化，具有低串联电阻温度依赖性，即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管

安森美（onsemi）NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。NDSH20120CDN采用TO-247-3LD封装，无反向恢复电流，具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。 该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数，易于并联。

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