NDSH20120CDN

onsemi
863-NDSH20120CDN
NDSH20120CDN

制造商：

说明：
碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NDSH20120CDN详情

库存量: 400

库存：
400 可立即发货
生产周期：
13 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥79.4051 ¥79.41
¥47.7312 ¥477.31
¥47.6408 ¥4,764.08
¥42.8496 ¥19,282.32
¥41.6066 ¥37,445.94

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
24 A
1.2 kV
1.75 V
59 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120CDN
Tube
商标: onsemi
Pd-功率耗散: 94 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 450
子类别: Diodes & Rectifiers
商标名: EliteSiC
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

D3 EliteSiC二极管

onsemi D3 EliteSiC二极管是一套用于需要大功率PFC和输出整流之应用的解决方案。  onsemi D3的最大额定电压为1200V。 这些二极管具有TO-247-2LD和TO-247-3LD两种封装选项，为各种设计提供灵活性。D3 EliteSiC二极管针对高温操作进行了优化，具有低串联电阻温度依赖性，即使在极端条件下也能确保稳定可靠的性能。

NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管

安森美（onsemi）NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。NDSH20120CDN采用TO-247-3LD封装，无反向恢复电流，具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。 该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数，易于并联。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。