STW68N60M6

STMicroelectronics
511-STW68N60M6
STW68N60M6

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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16 周 预计工厂生产时间。
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¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥51.0308 ¥30,618.48
¥50.9517 ¥61,142.04

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
63 A
41 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
106 nC
- 55 C
+ 150 C
390 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 28 ns
系列: Mdmesh M6
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 42 ns
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

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