STPSC20G12碳化硅功率肖特基二极管

STMicroelectronics STPSC20G12碳化硅功率肖特基二极管采用DO-247封装，带长引线。 STMicroelectronics STPSC20G12采用碳化硅基板制成。 该器件采用宽带隙材料，允许设计具有1200V额定电压的低VF肖特基二极管结构。得益于肖特基结构，在关闭时不会显示恢复，且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。