M3S 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美半导体M3S 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。该平面技术可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。安森美半导体M3S 1200V MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。M3S具有低开关损耗，采用TO247-4LD封装，可实现低公共源电感。