TrenchFET®第五代功率MOSFET，带VDS

Vishay/Siliconix TrenchFET® 第五代功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。该第五代功率MOSFET具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。第五代功率MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH或PowerPAK SO-8单封装。

结果: 29
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
数据表
20,825预期 2027/6/17
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
数据表
15,000预期 2027/6/3
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
数据表
8,081在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 47.1A
数据表
8,975预期 2027/8/19
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8S N-Channel 1 Channel 30 V 162 A 1.2 mOhms - 12 V, 16 V 4.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel