TrenchFET®第五代功率MOSFET,带VDS

Vishay/Siliconix TrenchFET® 第五代功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg 品质因数(FOM),可提高功率转换效率。该第五代功率MOSFET具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。第五代功率MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH或PowerPAK SO-8单封装。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1,383库存量
3,000预期 2026/2/19
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9 A - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET 943库存量
12,000预期 2026/2/19
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
21,000预期 2027/7/26
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
11,505在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel