GD3162高级IGBT/SiC栅极驱动器

NXP Semiconductors   GD3162高级IGBT/SiC栅极驱动器设计用于驱动xEV牵引逆变器中的SiC和IGBT模块。NXP Semiconductor  GD3162驱动器通过先进的栅极驱动功能节省空间并提高性能。该器件包括集成电流隔离、可编程SPI接口以及过热、去饱和和电流检测保护等高级保护特性。GD3162集成了升压功能,可直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块栅极。

结果: 8
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NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1,076库存量
704预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1,282库存量
最低: 1
倍数: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors 电流隔离式栅极驱动器 Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray