LMG3100R0x集成驱动器GaN FET

Texas Instruments LMG3100R0x集成驱动器氮化镓（GaN）FET是1.7mΩ GaN FET和驱动器，带有高侧电平移位器和自举电路。可以使用两个LGM3100器件形成半桥，无需外部电平移位器。GaN FET和驱动器组件具有内置电源轨欠压 锁定（UVLO）保护和内部自举电源电压钳位能力，以防止过驱（>5.4V）。Texas Instruments LMG3100R0x提供低功耗和改进的用户接口。LMG3100R017是高频、高效应用的理想解决方案，包括降压-升压转换器、LLC转换器、太阳能逆变器、电信、电机驱动器、电动工具和D级别音频放大器。