RY7P250BMTBC

Name: ROHM Semiconductor RY7P250BMTBC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RY7P250BMTBC
Price: 60.17 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-RY7P250BMTBC

制造商编号：

RY7P250BMTBC

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

寿命周期:

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数据表:

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预期 2026/6/4

2,500

预期 2026/6/11
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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥67.9921	¥67.99
	¥47.0645	¥470.65
	¥36.725	¥3,672.50
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥30.0241	¥75,060.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN8080-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	300 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.86 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	170 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	340 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	200 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	90 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	195 ns
典型接通延迟时间:	72 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RY7P250BM功率MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM功率MOSFET设计采用低导通电阻（最大1.86mΩ）和DFN8080大功率封装。这款功率MOSFET的漏源电压 (V_DSS) 为100V，漏极电流 (I_D) 为±300A，耗散功率 (P_D) 为340W。RY7P250BM MOSFET具备宽安全工作区域 (SOA)，可在不受损的情况下承受更高的电压和电流，从而提升稳健性与可靠性。ROHM Semiconductor RY7P250BM功率MOSFET适用于热插拔控制器 (HSC) 应用。