NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 9.37 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFWS1D7N04XMT1G

制造商编号：

NVMFWS1D7N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVMFWS1D7N04XMT1G 数据表

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数量	单价	总价
	¥10.5881	¥10.59
	¥6.9721	¥69.72
	¥5.7856	¥578.56
	¥5.5596	¥2,779.80
	¥5.1189	¥5,118.90
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥5.0963	¥7,644.45

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	154 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	75 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	MY
扩散国家:	MY
原产国:	MY
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	77 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	NVMFWS1D7N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	7 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVMFWS1D7N04XMT1G 数据表

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS1D7N04XM MOSFET

安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、154A连续漏极电流，符合AEC-Q101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS1D7N04XM MOSFET具有低电容和低R_DS(on)，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS1D7N04XM采用5mmx6mm的小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。