NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 12.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FD5877NLWFT1G-UM

制造商编号：

NVMFD5877NLWFT1G-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVMFD5877NLWFT1G-UM 数据表

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数量	单价	总价
	¥14.5544	¥14.55
	¥9.1869	¥91.87
	¥6.0342	¥603.42
	¥4.7686	¥2,384.30
	¥4.2488	¥4,248.80
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.6047	¥5,407.05

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	11 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	23 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	3.9 ns
正向跨导 - 最小值:	7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15.8 ns
系列:	NVMFD5877NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11.8 ns
典型接通延迟时间:	8.1 ns

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFD5877NL双N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFD5877NL双N沟道MOSFET专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。该N沟道MOSFET提供可润湿侧翼选项，可增强光学检测能力。NVMFD5877NL MOSFET具备低导通电阻，能够尽可能降低导通损耗；还具备低电容，能够尽可能降低驱动损耗。这款N沟道MOSFET通过AEC-Q101认证，且具备PPAP能力。NVMFD5877NL MOSFET适用于汽车应用，例如电磁阀驱动器和低侧/高侧驱动器。